IC晶圆机械抛光理想材料

CMP研磨环

        化学机械抛光（CMP）工艺是硅晶圆生产中非常重要的一个步骤。晶圆尺寸越做越大，芯片越做越小，随着光刻机和化学蒸镀技术上的提升，芯片上的线宽越来越小。对晶片表面抛光的要求也越来越高，CMP的抛光工艺也越来越精密，我们可提供机械抛光中极具成熟的PPS CMP研磨环。

       在化学机械抛光过程中，由于研磨环必须在抛光过程中夹住晶圆，CMP环紧密接触晶圆，需要极高的粗糙度，抛光中材料会与不同的化学液接触。化学液会对抛光组件产生腐蚀。此外，材料还需要承受一定的机械负载，因此材料应具有良好的弹性、韧性或强度。
     

       整个CMP过程中，高纯度至关重要。因此，研磨环还必须具有很高的纯度。这意味着材料不应被铝或铜等金属污染，以避免划伤晶圆表面。同时，研磨环的材料应具有低渗气性能。

       所以要制造CMP研磨环，需要材料具有极高的加工精度和尺寸稳定性，以减少晶圆中微刮伤的发生几率，确保提高可用IC的产量。尺寸稳定性可能会受高机械负载、高温或潮湿环境的影响。

理想的材料

        通常，研磨环采用PPS材料。

        PPS材料的特点是具有较高的耐磨性，良好的耐化学性和耐溶剂性，以及良好的摩擦性能，高纯的洁净型材料，不会污染晶圆，是一款即可满足CMP高精度研磨需求的标准机械抛光材料，比PEEK成本更低，目前,为应对CMP大量的需求，

已经可提供环形料，纯度和质密性更高，更加凸显性价比。

        PEEK材料的特点是具有更高的低磨擦系数，相比PPS的摩擦性能更优异，更全面且稳定的耐化学性和耐溶剂性，更宽的耐高温范围，使材料具有长期磨擦峰值下具有更热稳定性，相对工况下，使用时间更长。但成本比PPS上升至少40%

        CMP研磨环近几年有更多新型材料推出，提升耐磨损和热稳定性，材料科技的进步旨在提升IC的良率和产量。